LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

摘要：

采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶，掺杂浓度大于1×10<”18>/cm<”3>，晶体位错密度小于1×10<”4>/cm<”2>。实验发现，采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆 盖剂，固液交界面处均会产生浮渣，造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上。

关键词： 单晶 掺杂

作者: 赖占平 齐德格 高瑞良 杜庚娜

作者单位: 信息产业部电子第四十六研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 312～315

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）