单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器

摘要：

制备了增强型InGaP/InGaAs PHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近OV的增强型InGaP/InGaAs PHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。

关键词： 单电源 单片放大器

作者: 刘训春 陈俊 王润梅 李爱珍

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 161～164

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）