Ka波段GaAs PHEMT功放的设计与制备

摘要：

该文主要介绍了一种GaAs PHEMT MMIC”S功率放大器的设计方法和制备工艺以及性能。通过器件DC和AC测量，建立了PHEMT功率器件精确的大信号模型，对电路进行CAD设计优化，设计制备的单级功率放大顺在35GHz频率下达互输出功率200mW，功率附加效率30℅，功率增益4dB，芯片尺寸2mm×1.2mm。

关键词： 大信号模型 功率放大器 半导体材料

作者: 赵静 张绵

作者单位: 河北半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 208-209

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）