提高铀抗氢化性能的碳氧离子组合注入
利用离子注入方法,将CO<,2>气体离解后的离子,在不同能量、束流下注入贫铀表现.利用俄歇能谱仪(AES)分析改性层中元素的浓度分析,用低角度X射线衍射仪(GAXRD)分析离子注入层的结构.在t=100℃、p=0.2MPa条件下,利用铀-氢气反应测试离子注入C、O后贫铀的铀氢反应孕育期,用扫描电镜(SEM)观察试样氢化反应前后的表面形貌.结果表明:注入C、O离子后,形成了结构致密的改性层.在35kV/8~9mA/3h(注入能量/注入束流/注入时间)注入条件下,改性层由UO<,2>和石墨C组成;在65kV/8~9mA/3h和3kV/80mA/3h注入条件下,改性层为UO<,2>和少量UC.UO<,2>和UC为低氢渗透材料,抑制了氢向基体界面的迁移和渗透,从而降低了氢化物在界面形核和长大的几率,增强了铀抗氢化性能.氢化反应后,空白贫铀试样表面出现较多的蚀坑,并造成大面积脱落,而注入样品的表面仅出现较少孤立的蚀点.
离子注入 CO<,2> 铀 抗氢化
王小英 任大鹏 郭文胜 唐洪全 张厚亮 刘卫华 姜桂芬
中国工程物理研究院(四川绵阳)
国内会议
包头
中文
126-130
2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）