单晶Si表面微观磨损机理的SEM研究

摘要：

本文利用UMT-2M微摩擦试验机,采用线性加载条件下的刻划方式考察了单晶硅表面的微摩擦性能,并采用扫描电子显微镜对其机理进行分析.

关键词： 单晶硅 表面微观磨损 扫描电镜

作者: 孙蓉 徐洮 张治军 刘惠文 薛群基

作者单位: 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室(甘肃兰州);河南大学特种功能材料重点实验室(河南开封) 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室(甘肃兰州) 河南大学特种功能材料重点实验室(河南开封)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国扫描电子显微学会议

会议地点: 珠海

会议语种:中文

页码: 516-517

在线出版日期: 2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）