适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究
在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12％,矫顽力为1.04×(10<”3>/4π)A/m.通过2min的RIE使矫顽力减小33％,而磁电阻率几乎不受影响.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构使交换场从180×(10<”3>/4π)A/m上升到600×(10<”3>/4π)A/m左右.这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器.
自旋阀 巨磁电阻 磁电阻率 矫顽力 磁传感器
刘华瑞 任天令 刘理天 库万军
清华大学微电子所(北京) 深圳华夏磁电子公司(深圳)
国内会议
沈阳
中文
84-85,88
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）