退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响
铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO<,2>/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.
溶胶凝胶 漏导电流 铁电薄膜 退火工艺
张宁欣 侯生根 任天令 刘理天
清华大学微电子所(北京)
国内会议
沈阳
中文
309-310
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)