用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备

摘要：

对N<”+>型硅衬底上用于衬底隔离的选择性氧化多孔硅厚膜的制备进行了研究.实验过程中通过控制阳极氧化反应中HF溶液的浓度、电流密度和反应时间形成了不同厚度和孔隙度的多孔硅厚膜,并采用两步氧化的方法得到氧化多孔硅厚膜.实验得到的平整的氧化多孔硅厚膜最大厚度为60μm.对氧化多孔硅作为衬底隔离材料应用于硅基射频集成电路进行了初步的探索.

关键词： 多孔硅 氧化多孔硅 膜材料 射频电路

作者: 陈忠民 刘泽文 刘理天 李志坚

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届”测量与控制在资源节约、环境保护中的应用”学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 280-281

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）