硅基AlN薄膜的成分与表面分析
采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜.用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析.
氮化铝薄膜 表面形貌 薄膜成分 磁控反应溅射
于毅 赵宏锦 任天令 刘理天
清华大学微电子学研究所(北京)
国内会议
沈阳
中文
278-279
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
氮化铝薄膜 表面形貌 薄膜成分 磁控反应溅射
于毅 赵宏锦 任天令 刘理天
清华大学微电子学研究所(北京)
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2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)