AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究

摘要：

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础.

关键词： 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 刻蚀工艺

作者: 于毅 赵宏锦 任天令 刘理天

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届”测量与控制在资源节约、环境保护中的应用”学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 239-240

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）