电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析

摘要：

本文应用电子背散射衍射和扫描电镜技术对疲劳铜单晶中的最典型的位错结构,即沿”110”方向排列的错墙结构与基本位错组态之间的取向差进行分析.

关键词： 铜单晶 位错结构 电子背散射衍射 取向差

作者: 李勇 高薇 苏会和 李守新

作者单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室(辽宁沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国扫描电子显微学会议

会议地点: 珠海

会议语种:中文

页码: 562-563

在线出版日期: 2003-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）