离子束增强沉积TiN的电子衍射强度和键强度
离子束增强沉积得到的TiN表面改性薄层的电子衍射强度与氮离子的注入能量有关,利用自编程序对其电子衍射强度和键强度作了计算,结果表明注入能量较高时出现的电子衍射强度异常现象是由于晶格中部分N原子的间隙位置发生了变化,这导致键强度也产生相应的变化.
表面改性 TiN 电子衍射强度 键强度 离子束增强沉积
盛钟琦
中国核动力研究设计院核燃料及材料国家重点实验室(成都)
国内会议
宝鸡
中文
606-608
2002-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）