用于HEMT的应变In<,x>Ga<,1-x>As/InAlAs/InP异质结的MBE生长研究

关键词： HEMT 应变In<,x>Ga<,1-x>As/InAlAs/InP MBE生长

作者: 张文俊 崔立奇 武一宾 陈昊 阎发旺

作者单位: 信息产业部电子十三所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 20-21

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）