掺硅水平砷化镓单晶的产业化

摘要：

本文阐述了光电子材料掺硅水平砷化镓单晶的产业化过程,并就设备、工艺上的一些问题进行了讨论.获得了一些有益的结果.本文提出了评价产业化结果的四个量化指标,供大家参考.

关键词： HB-GaAs 产业化 工艺技术 光电子材料

作者: 武壮文 国瑞电子材料有限责任公司(河北廊坊)

作者单位: 北京有色金属研究总院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 746-747,755

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）