集成电路绝缘氧化层ESD击穿机理探讨

摘要：

在集成电路绝缘氧化层ESD介质击穿物理模型的基础上,讨论了绝缘氧化层加上一次线性电场条件下发生介质击穿的机理.

关键词： 介质击穿 集成电路 绝缘氧化层

作者: 孙可平 赵俊萍

作者单位: 上海海运学院静电与电磁兼容研究室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第十一届静电、电磁防护与电磁兼容学术年会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 19-20

在线出版日期: 2003-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）