IDT71256 SRAM的单粒子效应研究

摘要：

利用兰州重离子加速器加速的高LET的<”136>Xe离子研究了静态存储器IDT71256的单粒子效应.获得了单粒子翻转截面和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.在数据处理中用灵敏区的沉积能量代替LET值,从而获得较好的单粒子效应截面曲线.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.

关键词： 单粒子翻转 单粒子闭锁 静态存储器 单粒子效应 空间物理 电离辐射效应 地面加速器模拟

作者: 侯明东 刘杰 张庆祥 王志光 朱智勇 甄红楼 金运范 刘昌龙 陈晓曦 卫新国 张琳 樊友诚 祝周荣 张弋艇

作者单位: 中国科学院近代物理研究所(兰州) 中国航科集团航天计算机研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国空间科学学会空间探测专业委员会第十六次学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 44-47

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）