Si<,1-x>Ge<,x>/Si表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)研究

摘要：

在一台三圆X射线衍射仪上,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)技术,对在单晶Si(001)衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的Si<,1-x>Ge<,x>合金层进行了表面结构分析.研究发现:对外延生长后未退火的SiGe合金样品,随着Ge的含量增加表面合金的晶格膨胀、结构驰豫加剧;对相同Ge含量的合金样品,退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、合金结构均匀化,表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定.

关键词： SiGe表面合金 掠入射X射线衍射 表面结构 分子束外延 硅材料

作者: 石瑛 蒋昌忠 范湘军

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 湖北省物理学会·武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 127-130

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）