10Gbit/s 1310nm AlGaInAs/InP应变多量子阱DFB激光器

摘要：

本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器.采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该激光器在室温下(25℃)阈值电流为8mA,斜率效率达到40﹪以上,边模抑制比大于35dB,截止带宽(3dB)大于10GHz,并可在-10℃-85℃工作.

关键词： AlGaInAs/InP材料 DFB激光器 结构性能 制作方作

作者: 王任凡 沈坤 阳红涛 岳爱文 郑林 陈晓莉

作者单位: 武汉电信器件公司(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO”2003)

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 641-643

在线出版日期: 2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）