1.3μm 10Gbit/s无致冷直接调制AlGaInAs FP激光器

摘要：

通过采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术,我们成功制作出高速率1.3μm倒台形脊波导结构的无致冷AlGaInAs/InP直接调制FP激光器.对制作出的器件进行了包括高频测试的测量.结果显示器件的I<,th>为12mA,电阻为6Ω,外微分量子效率η为0.49mW/mA,小信号高频响应的3dB带宽大于10Gbit/s.

关键词： FP激光器 高频测试 AlGaInAs材料

作者: 张军 王定理 刘应军 常进 李林松 甘毅 黄晓东 刘涛 祝宁华

作者单位: 武汉光迅科技有限责任公司(湖北武汉) 中科院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO”2003)

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 625-627

在线出版日期: 2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）