高性能850nm氧化限制型VCSELs研究

摘要：

本文通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器结构优化以及制作工艺的研究,研制出了满足实用要求的高性能的氧化限制型850nm VCSELs.激光器25℃的阈值电流为1.2mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω,激光器的光电参数具有良好的均匀性,有良好的温度特性,能满足1.25Gbit/s高速率光纤数据通信.

关键词： 垂直腔面发射激光器 砷化镓 结构优化 制作工艺

作者: 岳爱文 王任凡 沈坤 石兢 李洛 唐建冠

作者单位: 武汉电信器件公司芯片部(湖北武汉) 武汉大学物理系(湖北武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO”2003)

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 621-624

在线出版日期: 2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）