PECVD法制备Si基SiO<,x>薄膜

摘要：

在100℃和300℃用PECVD法制备Si基SiO<,x>薄膜.通过改变SiH<,4>和N<,2>O气体的配比及流量,调整SiO<,x>的折射率和沉积速率.用棱镜耦合器测定SiO<,x>的折射率和膜厚.实验结果可供制作Si基SiO<,x>薄膜波导参考.

关键词： PECVD法 SiO<,x>薄膜 棱镜耦合器 制备方法

作者: 杜天敏 黄韬 徐宇新 金锋

作者单位: 航天时代电子公司研究中心(北京) 航天时代电子公司研究中心(北京);中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO”2003)

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 801-804

在线出版日期: 2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）