外延ZnO压电薄膜的声表面波特性分析

摘要：

采用RF平面磁控溅射技术在单晶Al<,2>O<,3>衬底上淀积了ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜的结构特性及电学性能,XRD结果表明:在Al<,2>O<,3>衬底上沉积的ZnO薄膜是高度C轴取向的.电阻率测试结果表明:在纯氧中高温退火,薄膜的电阻率提高到10<”7>Ω·cm量级.对于ZnO Al<,2>O<,3>结构的SAW器件,随着薄膜厚度的减小,其机电耦合系数降低,但声表面波速率增加.

关键词： 磁控溅射 氧化锌薄膜 声表面波 压电薄膜 电学特性

作者: 章天金 顾豪爽

作者单位: 湖北大学物理学与电子技术学院(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 湖北省物理学会·武汉物理学会成立70周年庆典暨2002年学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 109-111

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）