GSMBE生长SiGe HBT材料的结构与掺杂

关键词： GSMBE生长 掺杂 SiGe HBT材料 半导体材料

作者: 黄大定 刘金平 李建平 林燕霞 刘学锋 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 119-120

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）