GSMBE生长SiGe材料的动力学分析

关键词： GSMBE生长 SiGe材料

作者: 成步文 于卓 李代宗 黄昌俊 余金中 王启明 中国科学院半导体研究所(北京)

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 121-123

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）