用约束刻蚀剂层技术对铜进行微区电化学加工研究
给出了一个用约束刻蚀剂层技术对金属铜进行微区电化学刻蚀的电化学体系,并考查了约束剂的效果以及电流密度对被刻蚀区域显微结构的影响.结果表明,所用约束剂对扩散层有较好的约束作用;在低电流密度下刻蚀时会产生晶界优先腐蚀;一个能产生各向同性刻蚀的电流密度被确定.用AFM对孔深进行了表征.
约束刻蚀剂层技术 微加工 电化学刻蚀 金属材料
蒋利民 田中群 孙建军 黄海苟 刘品宽 孙立宁 田昭武
厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室(厦门) 哈尔滨工业大学机器人研究所(哈尔滨)
国内会议
重庆
中文
70-72
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）