约束刻蚀剂层技术用于半导体GaAs抛光整平的研究
简单介绍了现有的一些抛光技术,着重阐述了一种具有高度距离敏感性的抛光整平技术——约束刻蚀剂技术的原理.并利用该技术以光滑的微圆盘电极Pt作模板,对粗糙的GaAs表面进行抛光平整,获得了表面粗糙度为3.5nm的平整表面,显示了该技术作为一种平面抛光手段的潜力.
约束刻蚀层技术 抛光整平 表面微细加工 半导体GaAs
黄海苟 孙建军 蒋利民 刘品宽 孙立宁 田中群 田昭武
厦门大学固体表面物理化学重点实验室,化学系,物理化学研究所(厦门) 哈尔滨工业大学机器人研究所(哈尔滨)
国内会议
重庆
中文
67-69
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）