正面体硅工艺及其在光开关、加速度计中的应用研究

摘要：

工艺简单是正面体硅工艺的最大优点,不需要硅-玻璃键合,缩短了工艺流程,并极大的缩短了高温扩散时间(只需0.5~1h),减小了扩散应力对器件的影响,提高了成品率.结构与衬底采用反偏p<”++>-n结隔离,隔离电压350~450V.利用此工艺我们成功的开发了MEMS 1×2光开关和电容式加速度计.

关键词： 微机械 体硅工艺 光开关 加速度计 硅微机械电子系统

作者: 徐永青 杨拥军 胡小东 何洪涛

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 64-66

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）