多晶硅微机械开关的关键技术研究

摘要：

围绕多晶硅微机械开关中刻蚀牺牲层和消除多晶硅膜的应力这两个关键技术开展实验研究,得到刻蚀牺牲层中光刻胶最大抗腐蚀时间和适用于多晶硅微机械开关研制的弱翘曲多晶硅膜的优化工艺条件,这为进一步研制多晶硅微机械开关打下了基础.

关键词： 多晶硅 微机械开关 牺牲层 应力 翘曲 刻蚀

作者: 张正元 温志渝 徐世六 张正番 王晓兰 黄尚廉

作者单位: 重庆大学光电工程学院(重庆) 四川固体电路研究所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 58-60

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）