利用多孔硅牺牲层技术制作悬浮薄膜结构研究

摘要：

提出了一种将多孔硅牺牲层应用于制作悬浮薄膜结构的方案.采用专用容器在不同浓度的HF溶液生成了多孔硅,并对其质量进行了比较.高浓度的HF溶液中阳极氧化生成的多孔硅孔隙小、容易被碱性溶液腐蚀,适合于作牺牲层材料.采用TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液进行释放,获得了镂空的SiO<,2>悬浮薄膜,薄膜面积可达400μm×400μm,该薄膜在制作高性能RF-MEMS器件中有重要用途.

关键词： 微机械 多孔硅 牺牲层 RF-MEMS 悬浮薄膜结构 射频集成电路

作者: 丁勇 刘泽文 丛鹏 刘理天 李志坚

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 48-51

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）