Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究
以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T<,sub>低于750℃时,D<,r>随T<,sub>的上升而直线增加;而当T<,sub>高于750℃时,D<,r>则随T<,sub>的上升而呈直线降低,D<,r>值在750℃时达到最大.SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关.
铱薄膜 化学气相沉积 SEM
胡昌义 李靖华 王云 万吉高 钱旭 高逸群 邓德国 尹志民
贵研铂业股份有限公司(昆明) 中南大学(长沙)
国内会议
西安
中文
33-36
2002-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）