对几种新型磁性隧道结磁电阻的理论研究
概述了本小组近年来对磁性隧道结(MTJ)的隧道磁电阻(TMR)的一些理论研究结果,重点是由我们首先提出的、具有复杂结构的新型MTJ,它们或能得到高的TMR,或能克服有限偏(电)压导致的TMR恶化,或能提供有趣的新现象.将由他人新近设想的具有甚高TMR的双自旋过滤结的零偏压估计扩展到有限偏压,发现它也能有效地克服TMR的偏压恶化.此外,也简单地回顾了我们的一些相关研究结果,如TMR随温度及势垒形状的变化以及层间交换耦合(IEC)与结参数和温度的关联.在零外磁场下使MTJ处于反铁磁的IEC是实现TMR的基础.
磁性隧道结 磁电阻 层间交换耦合
李伯臧
中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心(北京)
国内会议
厦门
中文
345-349
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)