GaN材料研究与应用

摘要：

GaN材料是第三代半导体材料,具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质.本文介绍GaN材料的化学特性、结构、光学特性等以及材料的应用.

关键词： 半导体材料 GaN材料 材料生长 光电器件

作者: 王平

作者单位: 西安微电子技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 325-328

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）