VLSI与超纯硅材料

摘要：

本文通过VLSI与超纯硅材料关系的论述,阐明了我国VLSI的发展急需解决高质量的超纯硅材料.提高大直经硅片的平行度;氧、碳含量稳定、均匀、可控;提高微区电阻率均匀性;硅表面洁净、具有密封、屏蔽的的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题.超纯硅材料的完美结晶特性和超精度的加工技术水平取决于基础材料(化学试剂、高纯气体、)的高纯度、小颗粒和低杂质含量的控制.

关键词： VLSI 超纯硅材料 微电子 防静电 洁净度

作者: 曹宏斌

作者单位: 西安微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 321-324

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）