用双源蒸发工艺制作Cr·SiO薄膜电阻器

摘要：

本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr·SiO薄膜电阻器的探索与实践,结果表明,这是一种基于原有设备的具有工艺简单稳定、流程短而效率较高的实用新工艺,完全可以替代原有工艺而投入生产.

关键词： HIC 双源蒸发 Cr·SiO电阻器 薄膜电阻器

作者: 赵亚明

作者单位: 西安微电子技术研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 220-221

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）