用溅射法制备Cr·SiO薄膜电阻器

摘要：

本文介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的成膜电阻器基片,并已投入批量生产.

关键词： HIC 薄膜电阻器 溅射工艺 阻值稳定性

作者: 王军峰 殷小莉 陈福山

作者单位: 西安微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 216-217

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）