电沉积法制备Cu<,x>S薄膜及其性质研究
本实验利用电沉积的方法制备Cu<,x>S薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备Cu<,x>S薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的Cu<,x>S薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu<,2>S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu<,31>S<,16>其主要晶面是(842).当用Na<,2>S<,2>O<,3>作为硫源的时候得到的是单斜的Cu<,31>S<,16>其主要界面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu<,2>S其主要界面是(102).随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了Cu<,x>S薄膜的生长是沿着”102”方向定向生长的.
电沉积法 Cu<,x>S薄膜 相结构 薄膜制备 薄膜性质
张辉 杨德仁 杨尚炯 马向阳 汤会香 阙端麟
硅材料国家重点实验室(杭州)
国内会议
杭州
中文
77-82
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）