超声雾化CVD制作SnO<,2>:F透明导电膜的工艺研究

摘要：

我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO<,2>薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的影响,分析了氟化氢和氟化氨掺杂的不同点,同时讨论以何种比例,何种条件,能使得沉积的膜电阻率最小.

关键词： 超声喷雾CVD 透明导电膜 氟化氨 氟化氢 二氧化锡薄膜

作者: 丁尔峰 刘梅苍 蒋戈 古丽娜 周之斌 崔容强

作者单位: 上海交通大学物理系太阳能研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 69-72

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）