生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响

摘要：

本文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.

关键词： GaAs/Si薄膜 太阳电池 薄膜制备 生长条件 结构特性

作者: 陈庭金 涂洁磊 章晨静 吴长树

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所(中国昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 41-46

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）