纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟

摘要：

本文运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n<”->-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(V<,OC>)和填充因子(FF).计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率η<,max>=31.17﹪(AM1.5100MW/cm<”2>0.40~1.10μm波段).

关键词： nc-Si:H/c-Si异质结 太阳电池 计算机模拟 光伏特性

作者: 胡志华 云南师范大学太阳能研究所(中国昆明) 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 徐艳月 张世斌 孔光临

作者单位: 中国科学院半导体研究所,凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室(中国北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 302-306

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）