等离子增强化学气相沉积氮化硅薄膜及其在退火过程中的特性变化

摘要：

本文研究了在不同温度下等离子化学气相沉积氮化硅薄膜的特性.发现在220-380℃范围内薄膜的生长速度没有明显的差别,但沉积温度越高,则薄膜的折射率越高,显示薄膜更致密.本文同时研究了在不同温度下氮化硅薄膜的退火特性.发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高,退火温度越高,则这些趋向越明显.通过红外吸收谱的分析,发现随着退火温度的提高,薄膜中的氢含量不断下降,而Si-N伸缩振动峰和N-H弯曲振动峰均向短波数方向移动.

关键词： 氮化硅薄膜 化学气相沉积 太阳电池 退火特性

作者: 顾亚华 励旭东 李艳 尚凯文 许颖 赵玉文

作者单位: 北京师范大学低能核物理研究所(北京) 北京市太阳能研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 299-301

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）