溅射和硒化工艺对CIS薄膜性能的影响
采用中频交流磁控溅射方法在镀Mo玻璃衬镀上沉积铜铟(CI)预测薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、形貌及电学性能进行了表征和检测.测试结果表明,CIS薄膜的Cu、In含量主要取决于CI薄膜的Cu、In成分配比.CIS薄膜的表面形貌由溅射沉积CI薄膜的靶电流密度决定.CIS薄膜的成分、结构及电学性能由硒化过程中基片温度和硒源温度共同决定.在适当的硒化工艺下,可获得性能优异的CIS薄膜.
CIS薄膜 太阳能电池 固态硒化 磁控溅射法 薄膜性能
方玲 庄大明 张弓 赵方红 吴敏生 杨伟方
清华大学机械工程系(北京) 金洲集团(浙江湖州)
国内会议
杭州
中文
28-31
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）