P型(掺硼)晶硅材料及太阳电池的光衰减机制

摘要：

本文介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.

关键词： 太阳电池 光衰减 退火处理 少子寿命 掺硼晶硅材料

作者: 赵玉文

作者单位: 北京太阳能研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 247-251

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）