非晶硅锗三迭层电池的工艺优化

摘要：

本文报道了University of Toledo近两年在三叠层非晶硅锗太阳电池方面的研究进展.使用PECVD技术在不锈钢衬底上制备三结太阳电池,经过工艺优化后,电池效率达12.7﹪.文中研究了三结电池中的P、I层的生长条件对电池特性的影响,认为在非晶硅与微晶硅的过渡区存在着一种过渡态,可使电池的性能达到最佳.文中还研究了P、I界面的匹配和过渡层对电池性能的影响.

关键词： 太阳能电池 非晶硅锗三迭层电池 工艺优化

作者: 王文静 Henry Povolny 杜文会 廖显伯 邓勋明

作者单位: Department of Physics and Astronomy,University of Toledo,USA

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 239-242

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）