VHF-PECVD沉积非晶硅材料的研究
非晶硅薄膜的高速生长将极大地缩短生产时间,降低生产成本.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料进行了研究.在合适的沉积条件下,我们获得了沉积速率为53.6A/秒的a-Si:H本征层材料,其光敏性高达2.33×10<”6>(光电导为9.85×10<”-5>,暗电导为4.23×10<”-11>).与射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)系统制备的样品相比,其光稳定性敏性相似,而沉积速率提高了25倍以上.
非晶硅薄膜 光敏性 沉积速率 化学气相沉积
黄维海 麦耀华 侯国付 薛俊明 孙健 任慧志 张德坤 耿新华
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所(天津)
国内会议
杭州
中文
231-234
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）