VHF-PECVD辉光功率对a-Si:H材料晶化率的影响

摘要：

通常采用氢稀释方法调节非晶硅薄膜的晶化率.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料中,辉光功率对a-Si:H材料的晶化率的影响进行了研究.我们发现在一定氢稀释下非晶硅薄膜材料晶化程度和功率并不是一个单调递增或者单调递减的关系,而是在功率较低时,材料具有较高的晶化率,当功率增大时,晶化率首先降低,接着升高.利用辉光功率对晶化率的调制效应,结合氢稀释率可以比较方便的实现对非晶硅材料晶化率的控制.

关键词： 晶化率 光敏性 化学气相沉积 非晶硅薄膜 辉光功率

作者: 耿新华 麦耀华 黄维海 孙建 侯国付 薛俊明 任慧志 张的坤

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 227-230

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）