用VHF-PECVD生长高质稳定a-Si:H薄膜

摘要：

用VHF-PECVD技术沉积了一系列样品,用Keithly公司642静电计和惠普公司的8520数字多用表测试了它们的光电特性.研究光电特性和光致变化与沉积的关系.我们发现,适当增大气压可以提高沉积速率,微量硼杂可以显著提高薄膜的稳定性.在沉积速率达到3A/s的前提下,光暗电导比可达到10<”6>,光电导的光致衰退幅度可控制在10﹪以内.

关键词： a-Si:H薄膜 化学气相沉积 沉积速率 稳定性

作者: 徐艳月 廖显伯 刁宏伟 张世斌 孔光临

作者单位: 中科院半导体研究所表面物理室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 208-210

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）