氢稀释度对微晶硅薄膜成核、生长的影响

摘要：

采用热丝技术研究了在氢稀释度R<,H>=90﹪、98﹪及99﹪条件下玻璃衬底上硅的成核情况.在成核初期,氢稀释度为98﹪和99﹪条件下成核密度比90﹪高;在相同的氢稀释条件下生长20分钟后,低成核密度的样品对应较大的晶粒,薄膜粗糙度大;讨论了成核及生长的关系.

关键词： 微晶硅薄膜 热丝化学汽相沉积 氢稀释度 成核密度 薄膜成核 薄膜生长

作者: 汪六九 朱美芳 刘丰珍 刘金龙

作者单位: 中国科学院研究生院物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 200-203

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）