等离子体助热丝CVD技术制备多晶硅薄膜

摘要：

将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD),制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质.结果表明,与单纯的热丝技术相比,等离子体助热丝CVD技术(PE-HWCVD)在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性,增加薄膜致密度,降低薄膜中由于后氧化引入的氧含量.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.

关键词： 等离子体 结构性质 多晶硅薄膜 制备技术 热丝化学气相沉积

作者: 刘丰珍 朱美芳 刘金龙 汪六九 韩一琴

作者单位: 中国科学院研究生院物理学部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 186-189

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）