VHF-PECVD非晶硅膜的均匀性

摘要：

我们对现存三室PECVD设备进行了改造,借鉴国外的经验,将PECVD系统的阴极单板结构改造为喷淋式的三层结构,进气方式由侧进气改为下进气.在改造后的VHF-PECVD系统上进行了一系列的工艺实验.实验结果表明:改进的三层喷淋式结构明显改善了反应气流的均匀性,以及所沉积a-Si:H薄膜的均匀性.

关键词： 非晶硅薄膜 薄膜均匀性 化学气相沉积 工艺参数

作者: 刁宏伟 徐艳月 张世斌 廖显伯

作者单位: 中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第七届光伏会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 184-185

在线出版日期: 2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）