陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶
本文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实现发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>向.经区熔再结晶后,可以获得毫米级的晶粒,薄膜的优选晶向为<111>向.同时,薄膜的电学性能也得到改善,迁移率接近50cm<”2>/V·s.实验显示,衬底材料与薄膜间热膨胀系数的匹配是需首要解决的问题.
区熔再结晶 太阳电池 多晶硅薄膜 生长规律 化学气相沉积 薄膜性能
励旭东 程天 龚欣 刘维平 许颖 赵玉文
北京师范大学低能核物理研究所(北京) 北京市太阳能研究所(北京)
国内会议
杭州
中文
169-172
2002-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）